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三星将在十月推出基于V—NAND技术的3.84TB企业级SSD_SSD/闪存

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中国存储网消息,3月17日,三星品牌存储举办五周年庆典。期间透露了新的存储产品更新的时间表。三星将在十月推出基于V—NAND技术的3.84TB企业级SSD。以及在8月份推出读写速度可达2500/1500MB/s的基于NVMe标准接口的采用V—NAND 3D垂直闪存技术全新的950 PRO固态硬盘。

三星将在十月推出基于V—NAND技术的3.84TB企业级SSD

在企业级SSD方面,三星SM863/PM 863采用开创性的 V—NAND技术, 在 2.5 英寸的规格内将系统容量最多增加到 3.84 TB,可节省宝贵的空间而没有额外的功耗或影响性能。

SM863/PM 863实现了更优化的7X24小时耐用性能,能够满足当前数据中心环境需求。

三星的V—NAND闪存采用垂直单元结构,不仅突破了具有平面架构的传统闪存在容量上的局限性,更能大幅提高产品的读写速度、耐用性和能效。

该技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式,在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元,使得在同样的平面内获得更多的存储空间。这样的设计,我们可以通俗的理解成,在单位空间内,晶体管的容量是以立体形式堆叠出现的,就好比在一块土地上盖房子,如果是采用平房结构,那么就会降低土地的利用率,要是采用楼房的形式,就会大大提升单位面积的利用率。

PM 863,拥有出色的随机读取/写入性能,专门为混合工作负载的数据中心设计,如内容分发网络 (CDN)、流媒体处理或 Web服务器。在混合工作负载下提供很高的随机每秒输入/输出操作次数 (IOPS)、较低的延迟、更高的可靠性以及降低总体拥有成本 (TCO)。

SM863是专门为写入密集型应用而优化,如联机交易处理、电子邮件和数据库服务器,能够高效处理大量的数据信息。SM863在耐久性、安全性以及功率效率方面表现优秀。单盘连续读取/写入速度高达520/485MB/s,随机读取/写入IOPS高达97000/27000。其较低的延迟性能够在苛刻的数据中心环境对大量信息进行快速处理和分析。

三星将在十月推出基于V—NAND技术的3.84TB企业级SSD

同时在客户端SSD领域,三星将在2016年8月推出1TB容量的基于NVMe标准接口的SSD。这是三星推出首款基于NVMe标准接口的采用V—NAND 3D垂直闪存技术全新的950 PRO固态硬盘。950 PRO采用4通道第三代PCI-e接口,连续读写和随机读取速率都有所提升,512GB的连续读写速度可达2500/1500MB/s,随机读写可达300000/110000 IOPS。满足用户对未来计算系统不断增加的存储需求。

三星将在十月推出基于V—NAND技术的3.84TB企业级SSD

在移动固态硬盘方面,三星存储新推出了T3,这是一款只有手掌大小、具备TB级存储容量的外置固态硬盘。T3采用三星专有的垂直V—NAND技术和TurboWrite(写入加速)技术,保证了产品的先进性能,使之成为普通消费者、内容创作者、商务人士以及IT专业人员快速、轻松存储数据,进行跨设备大容量多媒体内容传输工具。

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